دانلود رایگان


پورپوزال کامل طراحی مدار جمع کننده مبتنی بر ترانزیستورهای کربن نانوتیوب - دانلود رایگان



دانلود رایگان مزیت کارایی مورد انتظار در یک CNTFET در افزارهواقعی بنظر می آید که قابل دستیابی نباشد و به اندازه کافی برای CV/I پایین بیاید(6برابر برای nFETو 14 برابر برای pFET)براساس

دانلود رایگان

مزیت کارایی مورد انتظار در یک CNTFET در افزارهواقعی بنظر می آید که قابل دستیابی نباشد و به اندازه کافی برای CV/I پایین بیاید(6برابر برای nFETو 14 برابر برای pFET)براساس شرایط غیر ایده آل افزاره/مدار. این شرایط غیر ایده آل شامل مقاومت سرینواحی سورس/درین ناخالص سازی شده ، مقاومت سد شاتکی (SB) در واسطه یفلز/CNT ، خازن لبهخارجی گیت و خازن اتصالات داخلی. به هر حال نیاز ها برای توان مصرفی کمتر و فرکانسکاری بالاتر در هندسه افزاره و مقیاس بندی تغذیه با یک افزایش مناسب در دمای کایر برای افزاره نتیجه می شود.


در این تحقیق سعی داریم ساختار جدید برای جمع کننده ها ارائه که دهیم که مبتنیبرانزیستورها ی کربن نانوتیوب هستند. همچنین بهبودی های حاصله را با مدارهای جمعکننده ی موجود در تکنولوژی CMOS مقایسه نماییم.
چون زمینه یترانزیستورهای کربن نانوتیوب از جدید ترین تکنولوژی های تحقیقاتی است لذا تحقیق درمور مدار های آنالوگ و دیجیتال مبتنی بر این ترانزیستورها کم انجام گردیده است. درسال 2010 گروهی تحقیقاتی در دانشگاه شهید بهشتی با سرپرستی دکتر کیوان ناوی اولین نمونهاز جمع کننده ار ارائه دادند. این جمع کننده ساختار ساده ای داشته که فقط از خازنو معکوس گر در ساختارش استفاده شده است. از طرف دیگر در سرعت و توان-تاخیر بهبودیحاصل شده است. در سال 2011 محققان دانشگاه آزاد اسلامی نیز نمونه ی دیگری از اینکارها را ارائه نمودند. در این تحقیق مسئله ولتاژ آستانه ترانزیستورهای کربننانوتیوب با استفاده از گیت های معکوس کننده حل گردیده است. در سال 2012 نمونه ایارائه شد که یک تمام جمع کننده ی دینامیک بود از طرف دیگر ولتاژ آستانهترانزیستورها سه نوع مختلف انتخاب گردید.


پورپوزال


کامل


طراحی


مدار


جمع


کننده


مبتنی


بر


ترانزیستورهای


کربن


مقاله


پاورپوینت


فایل فلش


کارآموزی


گزارش تخصصی


اقدام پژوهی


درس پژوهی


جزوه


خلاصه


کتب و جزوات - 4

مدارهای جمع کننده و ... طراحی شمارنده های ... تکنولوژی مبتنی بر ترانزیستورهای Bipolar.

HEMT ترانزیستورهای

... hemt های مبتنی بر gaas ، hemt ... برای ترانزیستورهای بر ... که برای طراحی مدار ...

HEMT ترانزیستورهای

... hemt های مبتنی بر gaas ، hemt ... برای ترانزیستورهای بر ... که برای طراحی مدار ...

مقالات الکترونیکی - الکترونیک

... و “طراحی مدار ... سیستم مبتنی بر ... کننده های مبنی بر قسمت ...

پایان نامه کارشناسی

پس در طراحی مدار مجتمع ... توان به مدار جمع کننده ... جریان مبتنی بر تکنیک ...

رشته فناوری اطلاعات؛ پایان نامه ؛سمینار ؛پروپوزال …

وب سرویس‌های مبتنی بر عامل در ... مدل سازی ترانزیستورهای اثر ... طراحی و شبیه ...

طرح ابتکاری سیمکشی برق ساختمان درلوله های برق

مقاله تأثیر جهل یا اشتباه بر مسؤولیت کیفری در حقوق آمر

کتاب نمونه برداری خاک و روش های بررسی آن - ویرایش دوم

دانلود لایه های رقومی استان آذربايجان غربي (با فرمت شیپ فایل shp)

دانلود لایه های رقومی استان آذربايجان غربي (با فرمت شیپ فایل shp)



تناسب اندام

تحقیق در مورد ارزشيابي و تأثير آن بر پيشرفت تحصيلي(فرمت word و باقابلیت ویرایش) - تعداد صفحات 27 صفحه

بیت هیلانی

تناسب اندام